ROHM小型封裝內置第4代SiC MOSFET，實現業界超高功率密度
Time 發布時間： 2024-07-31
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全球知名半導體(ti) 製造商ROHM（總部位於(yu) 日本京都市）麵向300kW以下的xEV（電動汽車）用牽引逆變器，開發出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack™”，共4款產(chan) 品（750V 2個(ge) 型號：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2個(ge) 型號：BSTxxxD12P4A1x1）。TRCDRIVE pack™的功率密度高，並采用ROHM自有的引腳排列方式，有助於(yu) 解決(jue) 牽引逆變器麵臨(lin) 的小型化、效率提升和減少工時等主要課題。

Press picture

近年來，在致力於(yu) 實現無碳社會(hui) 的進程中，汽車的電動化發展迅速，這促進了更高效、更小型、更輕量的電動動力總成係統的開發。另一方麵，作為(wei) 關(guan) 鍵器件備受關(guan) 注的SiC功率器件卻麵臨(lin) 著難以同時減小尺寸並降低損耗的難題。對此，ROHM開發出TRCDRIVE pack™，可以解決(jue) 動力係統中的這一課題。

TRCDRIVE pack™是牽引逆變器驅動用SiC封裝型模塊的專(zhuan) 用商標，標有該商標的產(chan) 品利用ROHM自有的結構，更大程度地擴大了散熱麵積，從(cong) 而實現了緊湊型封裝。另外，新產(chan) 品還搭載了低導通電阻的第4代SiC MOSFET，實現了是普通SiC封裝型模塊1.5倍的業(ye) 界超高功率密度，非常有助於(yu) xEV逆變器的小型化。

此外，該模塊在模塊頂部配備了“Press fit pin”方式的控製用信號引腳，因此隻需從(cong) 頂部按壓柵極驅動器電路板即可完成連接，有助於(yu) 減少安裝工時。不僅(jin) 如此，還通過盡可能擴大主電流布線中的電流路徑和采用雙層布線結構，降低了電感值（5.7nH），從(cong) 而有助於(yu) 降低開關(guan) 時的損耗。

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